參數(shù)資料
型號(hào)： MG200Q2YS65H
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： IGBT Module Silicon N Channel IGBT
中文描述： IGBT模塊IGBT的硅?頻道
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 158K
代理商： MG200Q2YS65H
MG200Q2YS65H
2002-10-04
3
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE (sat)
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE (sat)
C
C
Gate-emitter voltage V
GE
(V)
V
CE
– V
GE
C
C
Gate-emitter voltage V
GE
(V)
V
CE
– V
GE
C
C
Gate-emitter voltage V
GE
(V)
I
C
– V
GE
C
C
Forward voltage V
F
(V)
I
F
– V
F
F
F
0
0
4
8
12
16
4
8
12
16
20
Common emitter
Tc 25°C
IC 400 A
100 A
200 A
0
0
50
100
150
200
4
8
12
16
Common emitter
VCE 5 V
Tc 125°C
40°C
25°C
0
0
100
200
300
400
1
2
3
4
Tc 125°C
25°C
Common cathode
VGE 0
0
0
100
200
300
400
2
4
6
8
10
VGE 8 V
10 V
12 V
20 V
18 V
15 V
Common emitter
Tc 125°C
0
0
4
8
12
16
4
8
12
16
20
Common emitter
Tc 125°C
IC 400 A
100 A
200 A
12 V
0
0
100
200
300
400
2
4
6
8
10
Common emitter
Tc 25°C
VGE 8 V
PC 1310 W
10 V
20 V
18 V
15 V
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PDF描述
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