參數(shù)資料
型號： MG200Q2YS65H
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： IGBT Module Silicon N Channel IGBT
中文描述： IGBT模塊IGBT的硅?頻道
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 158K
代理商： MG200Q2YS65H
MG200Q2YS65H
2002-10-04
1
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG200Q2YS65H
High Power & High Speed Switching
Applications
High input impedance
Enhancement-mode
The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings
(Tc 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
V
CES
1200
V
Gate-emitter voltage
V
GES
20
V
DC
I
C
200
Collector current
1 ms
I
CP
400
A
DC
I
F
200
Forward current
1 ms
I
FM
400
A
Collector power dissipation
(Tc 25°C)
P
C
1310
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
40 to 125
°C
Isolation voltage
V
Isol
2500
(AC 1 minute)
V
Terminal
3
Screw torque
Mounting
3
N
m
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-109C4A
Weight: 430 g (typ.)
G1 E1/C2
E2
G2
E1
E2
C1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG240V1US41 Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:5mA RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
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