參數(shù)資料
型號: MCR8DSN
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 晶閘管
英文描述: Silicon Controlled Rectifiers
中文描述: 8 A, 800 V, SCR
封裝: CASE 369A-13, DPAK-3
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大?。?/td> 127K
代理商: MCR8DSN
4
Motorola Thyristor Device Data
Figure 7. Typical Holding Current versus
Junction Temperature
Figure 8. Typical Latching Current versus
Junction Temperature
Figure 9. Holding Current versus
Gate–Cathode Resistance
65
110
–40
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
1000
10 K
100
RGK, GATE–CATHODE RESISTANCE (OHMS)
10
6.0
4.0
2.0
0
I
I
L
I
H
1.0
0.1
–25
5.0
20
50
95
,
10
TJ = 25
°
C
–10
35
80
Figure 10. Exponential Static dv/dt versus
Gate–Cathode Resistance and Junction
Temperature
100
RGK, GATE–CATHODE RESISTANCE (OHMS)
1000
10
1.0
S
TJ = 110
°
C
1000
IGT = 10 A
RGK = 1.0 K
65
110
–40
1.0
0.1
–25
5.0
20
50
95
10
–10
35
80
RGK = 1.0 K
Figure 11. Exponential Static dv/dt versus
Gate–Cathode Resistance and Peak Voltage
S
Figure 12. Exponential Static dv/dt versus
Gate–Cathode Resistance and Gate Trigger
Current Sensitivity
8.0
IGT = 25 A
,
100
90
°
C
70
°
C
100
RGK, GATE–CATHODE RESISTANCE (OHMS)
1000
10
1.0
TJ = 110
°
C
1000
100
VPK = 800 V
600 V
400 V
100
RGK, GATE–CATHODE RESISTANCE (OHMS)
1000
10
1.0
VD = 800 V
TJ = 110
°
C
1000
100
IGT = 10 A
S
IGT = 25 A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MCR8M 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MCR8N 功能描述:SCR 800V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
MCR8NG 功能描述:SCR 800V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube