參數(shù)資料
型號(hào)： MCR225FP
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： Silicon Controlled Rectifiers
中文描述： 可控硅整流器
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 122K
代理商： MCR225FP
2
Motorola Thyristor Device Data
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
1.5
°
C/W
Thermal Resistance, Case to Sink
2.2 (typ)
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient
60
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Peak Forward Blocking Current
(VD = Rated VDRM, Gate Open)
TJ = 25
°
C
TJ = 125
°
C
IDRM
—
—
—
—
10
2
μ
A
mA
Peak Reverse Blocking Current
(VR = Rated VRRM)
Forward “On” Voltage(1)
(ITM = 50 A)
TJ = 125
°
C
IRRM
—
—
2
mA
VTM
—
—
1.8
Volts
Gate Trigger Current (Continuous dc)
(Anode Voltage = 12 Vdc, RL = 100 Ohms)
IGT
—
—
40
mA
Gate Trigger Voltage (Continuous dc)
(Anode Voltage = 12 Vdc, RL = 100 Ohms)
VGT
—
0.8
1.5
Volts
Gate Non-Trigger Voltage
(Anode Voltage = Rated VDRM, RL = 100 Ohms, TJ = 125
°
C)
VGD
0.2
—
—
Volts
Holding Current
(Anode Voltage = 12 Vdc)
IH
—
20
40
mA
Turn-On Time
(ITM = 25 A, IGT = 40 mAdc)
tgt
—
1.5
—
μ
s
Turn-Off Time (VDRM = Rated Voltage)
(ITM = 25 A, IR = 25 A)
(ITM = 25 A, IR = 25 A, TJ = 125
°
C)
tq
—
—
15
35
—
—
μ
s
Critical Rate-of-Rise of Off-State Voltage
(Gate Open, VD = Rated VDRM, Exponential Waveform)
dv/dt
—
100
—
V/
μ
s
1. Pulse Test: Pulse Width = 1 ms, Duty Cycle
2%.
Figure 2. Maximum On-State Power Dissipation
20
32
24
16
8
4
8
20
16
12
16
12
8
4
80
90
100
110
120
130
dc
TJ = 125
°
C
0
60
°
90
°
α
= 30
°
180
°
0
IT(AV), AVERAGE ON-STATE FORWARD CURRENT (AMPS)
α
= CONDUCTION ANGLE
α
α
α
= CONDUCTION ANGLE
IT(AV), ON-STATE FORWARD CURRENT (AMPS)
dc
90
°
60
°
α
= 30
°
Figure 1. Average Current Derating
0
(
T
C
°
180
°
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