參數(shù)資料
型號(hào)： MBT3946DW1T2G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual General Purpose Transistor
中文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大小： 422K
代理商： MBT3946DW1T2G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
MBT3904–8/12
MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, MBT3946DW1T1
MBT3906DW1T1 (PNP)
Figure 19. Delay and Rise Time
Equivalent Test Circuit
Figure 20. Storage and Fall Time
Equivalent Test Circuit
TYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICS
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
* Total shunt capacitance of test jig and connectors
0.1
0.2 0.3
0.5
0.71.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30 40
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 21. Capacitancere
C
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
70
50
Q
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 22. Charge Data
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 23. Turn–On Time
T
t
f
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 24. Fall Time
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200
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PDF描述
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