參數資料
型號： MBT3946DW1T2G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual General Purpose Transistor
中文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN
文件頁數： 4/10頁
文件大?。?/td> 422K
代理商： MBT3946DW1T2G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
MBT3904–4/12
MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, MBT3946DW1T1
MBT3904DW1T1 (NPN)
Figure 1. Delay and Rise Time
Equivalent Test Circuit
Figure 2. Storage and Fall Time
Equivalent Test Circuit
DUTY CYCLE = 2%
TYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICS
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
* Total shunt capacitance of test jig and connectors
0.1
0.2 0.3
0.5
0.71.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30 40
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Capacitancere
C
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
70
50
Q
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Charge Data
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PDF描述
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