參數(shù)資料
型號(hào)： MBT3946DW1T2G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Dual General Purpose Transistor
中文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 10/10頁(yè)
文件大?。?/td> 422K
代理商： MBT3946DW1T2G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
MBT3904–10/12
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 31. DC Current Gain
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
h
F
,
MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, MBT3946DW1T1
MBT3906DW1T1 (PNP)
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
I
B
, BASE CURRENT (mA)
Figure 32. Collector Saturation Region
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
h
F
,
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
V
θ
V
,
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 33. “ON” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 34. Temperature Coefficients
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
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PDF描述
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