參數(shù)資料
型號(hào)： MBT3906DW1T2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-88, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 28/30頁(yè)
文件大?。?/td> 471K
代理商： MBT3906DW1T2
MBT3904DW1T1 MBT3906DW1T1 MBT3946DW1T1
2–292
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
MBT3904DW1T1 (NPN)
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 15. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
0.2
0.1
h
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
0.5
2.0
3.0
10
50
70
0.2
0.3
0.1
100
1.0
0.7
200
30
20
5.0
7.0
FE
VCE = 1.0 V
TJ = +125°C
+25
°C
–55
°C
MBT3904DW1T1 (NPN)
Figure 16. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
V
,COLLECT
OR
EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.5
2.0
3.0
10
0.2
0.3
0
1.0
0.7
5.0
7.0
CE
IC = 1.0 mA
TJ = 25°C
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
10 mA
30 mA
100 mA
MBT3904DW1T1 (NPN)
Figure 17. “ON” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.2
Figure 18. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
,V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0
100
– 0.5
0
0.5
1.0
0
60
80
120
140
160
180
20
40
100
COEFFICIENT
(mV/
C)
200
– 1.0
– 1.5
– 2.0
200
°
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB =10
VCE(sat) @ IC/IB =10
VBE @ VCE =1.0 V
+25
°C TO +125°C
–55
°C TO +25°C
+25
°C TO +125°C
–55
°C TO +25°C
qVC FOR VCE(sat)
qVB FOR VBE(sat)
MBT3904DW1T1 (NPN)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBT3904DW1T2 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBT3906DW1T3 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBT3946DW1T1 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBT3906DW1T1 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MC-10118BF1-ENY-A SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA481
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBT3906DW1T2G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SS SC88 GP XSTR PNP 40V - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Dual PNP Bipolar Transistor 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL - SS SC88 GP XSTR PNP 40V
MBT3906DW1T3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MBT3946DW 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual General Purpose Transistor NPN+PNP Silicon
MBT3946DW1T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3946DW1T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*