參數(shù)資料
型號： MBT3906DW1T2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 26/30頁
文件大小： 471K
代理商： MBT3906DW1T2
MBT3904DW1T1 MBT3906DW1T1 MBT3946DW1T1
2–290
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
MBT3904DW1T1 (NPN)
Figure 5. Turn – On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
500
50
Figure 6. Rise Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TIME
(ns
)
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
t,
RISE
TIME
(ns)
Figure 7. Storage Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. Fall Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
5.0 7.0
30
50
200
10
30
7
20
70
100
200
300
500
50
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
7
20
70
100
200
300
500
50
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
7
20
70
100
200
300
500
50
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
7
20
r
t,
F
ALL
TIME
(ns)
f
t
,ST
ORA
G
E
TIME
(ns
)
s′
VCC = 40 V
IC/IB = 10
VCC = 40 V
IB1 = IB2
IC/IB = 20
IC/IB = 10
tr @ VCC = 3.0 V
td @ VOB = 0 V
40 V
15 V
2.0 V
IC/IB = 10
IC/IB = 20
IC/IB = 10
IC/IB = 20
t
′s = ts – 1/8 tf
IB1 = IB2
MBT3904DW1T1 (NPN)
TYPICAL AUDIO SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
NOISE FIGURE VARIATIONS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25°C, Bandwidth = 1.0 Hz)
Figure 9. Noise Figure
f, FREQUENCY (kHz)
4
6
8
10
12
2
0.1
Figure 10. Noise Figure
RS, SOURCE RESISTANCE (k OHMS)
0
N
F,
NOISE
F
IGU
RE
(
dB)
1.0
2.0
4.0
10
20
40
0.2
0.4
0
100
4
6
8
10
12
2
14
0.1
1.0
2.0
4.0
10
20
40
0.2
0.4
100
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
f = 1.0 kHz
IC = 1.0 mA
IC = 0.5 mA
IC = 50 mA
IC = 100 mA
SOURCE RESISTANCE = 200
W
IC = 1.0 mA
SOURCE RESISTANCE = 200
W
IC = 0.5 mA
SOURCE RESISTANCE = 500
W
IC = 100 mA
SOURCE RESISTANCE = 1.0 k
IC = 50 mA
MBT3904DW1T1 (NPN)
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PDF描述
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MBT3946DW1T1 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBT3906DW1T1 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MC-10118BF1-ENY-A SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA481
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MBT3946DW1T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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