參數(shù)資料
型號(hào)： MBT3906DW1T1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 277K
代理商： MBT3906DW1T1
MBT3904DW1T1 MBT3906DW1T1 MBT3946DW1T1
10
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
MBT3906DW1T1 (PNP)
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 31. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
0.2
0.1
h
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
0.5
2.0
3.0
10
50
70
0.2
0.3
0.1
100
1.0
0.7
200
30
20
5.0
7.0
FE
VCE = 1.0 V
TJ = +125°C
+25
°C
–55
°C
MBT3906DW1T1 (PNP)
Figure 32. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
V
,COLLECT
OR
EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.5
2.0
3.0
10
0.2
0.3
0
1.0
0.7
5.0
7.0
CE
IC = 1.0 mA
TJ = 25°C
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
10 mA
30 mA
100 mA
MBT3906DW1T1 (PNP)
Figure 33. “ON” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
Figure 34. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0
100
– 0.5
0
0.5
1.0
0
60
80
120
140
160
180
20
40
100
200
– 1.0
– 1.5
– 2.0
200
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 1.0 V
+25
°C TO +125°C
–55
°C TO +25°C
+25
°C TO +125°C
–55
°C TO +25°C
qVC FOR VCE(sat)
qVB FOR VBE(sat)
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)
°
Vq
MBT3906DW1T1 (PNP)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MC-10118BF1-ENY-A SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA481
MC141555P1 UNIVERSAL SERIAL BUS CONTROLLER, PDIP28
MC141556P UNIVERSAL SERIAL BUS CONTROLLER, PDIP28
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參數(shù)描述
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MBT3906DW1T1G_09 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistor
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MBT3906DW1T3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MBT3946DW 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual General Purpose Transistor NPN+PNP Silicon
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