參數(shù)資料
型號: MBT35200MT1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
中文描述: 2000 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: CASE 318G-02, TSOP-6
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 81K
代理商: MBT35200MT1
MBT35200MT1
http://onsemi.com
7
Notes
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBT35200 30 AMP MINIATURE POWER RELAY
MBT3906DW1T1 Dual General Purpose Transistor
MBT3906DW1T1G Dual General Purpose Transistor
MBT3906DW1T1 Dual General Purpose Transistors
MC100EP16TDT 3.3V / 5V ECL Differential Receiver/Driver with Internal Termination
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBT35200MT1_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
MBT35200MT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT35200MT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MBT35200MT2G 功能描述:兩極晶體管 - BJT TSOP6 PNP XSTR SPCL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual General Purpose Transistor NPN+NPN Silicon