參數(shù)資料
型號： MBT35200MT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
中文描述： 2000 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 318G-02, TSOP-6
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： MBT35200MT1
MBT35200MT1
http://onsemi.com
3
Figure 1. Collector Emitter Saturation Voltage
versus Collector Current
Figure 2. Collector Emitter Saturation Voltage
versus Collector Current
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
0.01
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
1.0
0.001
0.05
0
0.001
0.01
0.1
1.0
0.01
0.10
0.15
I
C
/I
B
= 100
0.20
0.25
100
°
C
25
°
C
-55
°
C
50
10
VC
V
VC
V
I
C
/I
B
= 50
Figure 3. DC Current Gain versus
Collector Current
Figure 4. Base Emitter Saturation Voltage
versus Collector Current
Figure 5. Base Emitter Turn–On Voltage
versus Collector Current
Figure 6. Input Capacitance
0.1
1.0
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.6
0.4
1.0
0.2
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.01
0.001
1.0
0.4
0
0.1
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.1
0.6
0.5
0.4
0.3
V
EB
, EMITTER BASE VOLTAGE (VOLTS)
0
750
550
500
450
350
300
1.5
0.01
h
VB
0.01
0.1
1.0
,
VB
1.0
0.9
0.5
5.0
1.0
400
Ci
1.2
0.6
0.8
1.4
100
°
C
0.6
0.8
V
700
650
600
25
°
C
-55
°
C
0.2
100
°
C
25
°
C
-55
°
C
0.8
0.7
1.0
100
°
C
25
°
C
-55
°
C
3.0
2.0
2.5
3.5
4.0
4.5
F
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