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參數(shù)資料
| 型號： | MBRD660CTTRRPBF |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 封裝： | SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | MBRD660CTTRRPBF |
SCHOTTKY RECTIFIER
6 Amp
MBRD650CT
MBRD660CT
www.irf.com
1
Bulletin PD-20755 rev. C 03/03
Major Ratings and Characteristics
I
F(AV)
Rectangular
6
A
waveform
V
RRM
50 - 60
V
I
FSM
@ tp = 5 s sine
490
A
V
F
@3 Apk, T
J
= 125°C
0.65
V
(per leg)
T
J
range
- 40 to 150
°C
Characteristics
Units
Description/ Features
The MBRD650CT, MBRD660CT surface mount, center tap,
Schottky rectifier series has been designed for applications
requiring low forward drop and small foot prints on PC board.
Typical applications are in disk drives, switching power
supplies, converters, free-wheeling diodes, battery charging,
and reverse battery protection.
Popular D-PAK outline
Center tap configuration
Small foot print, surface mountable
Low forward voltage drop
High frequency operation
Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability
6.73 (0.26)
6.35 (0.25)
5.46 (0.21)
5.21 (0.20)
4
1.27 (0.05)
0.88 (0.03)
5.97 (0.23)
1 - Anode
2 - Cathode
3 - Anode
4 - Cathode
1.64 (0.02)
1.52 (0.06)
1.15 (0.04)
1.14 (0.04)
0.76 (0.03)
2x
2.28 (0.09)
2x
0.89 (0.03)
0.64 (0.02)
3x
4.57 (0.18)
12
3
6.22 (0.24)
2.38 (0.09)
2.19 (0.08)
6.45 (0.24)
5.68 (0.22)
10.42 (0.41)
9.40 (0.37)
0.46 (0.02)
0.58 (0.02)
1.14 (0.04)
0.89 (0.03)
0.51 (0.02)
MIN.
0.58 (0.02)
0.46 (0.02)
MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
5.97 (0.24)
10.67 (0.42)
1.65 (0.06)
6.48 (0.26)
2x
2.54 (0.10)
2x
2.28 (0.09)
2x
Conform to JEDEC outline D-Pak (Similar to TO-252AA)
Dimensions in millimeters and (inches)
D-Pak (TO-252AA)
MBRD650CT
MBRD660CT
Anode
1
3
4
Anode
2
Base
Common
Cathode
Common
Cathode
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRD660CTTRLPBF | 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| MBRF10150CT | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBRF10150 | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBRF1060 | 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBRF1090 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBRD6U60CT | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE |
| MBRD835L | 功能描述:肖特基二極管與整流器 8A 35V Low Vf RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| MBRD835L_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE Power Rectifier |
| MBRD835LG | 功能描述:肖特基二極管與整流器 8A 35V Low Vf RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| MBRD835L-T | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
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