參數(shù)資料
型號(hào)： MBC13900
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN Silicon Low Noise Transistor
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-70, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/26頁(yè)
文件大?。?/td> 813K
代理商： MBC13900
MOTOROLA
MBC13900
Technical Data
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7
Figure 11. Minimum Noise Figure and Associated Gain versus Frequency
Figure 12. Minimum Noise Figure and Associated Gain versus Collector Current
Figure 13. Minimum Noise Figure and Associated Gain versus Collector Current
2.0
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8.0
6.0
4.0
4.0
0.5
0.6
1.8
f, FREQUENCY (GHz)
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
NF
min
G
NF
V
CE
= 3.0
V
IC
= 3.0 mA
G
N
,
N
m
,
0.6
1.8
1.6
1.4
1.2
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20
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G
NF
900 MHz
V
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I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
G
NF
1.9 GHz
NF
min
900 MHz
NF
min
1.9 GHz
G
N
,
N
m
,
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0.6
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I
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, COLLECTOR CURRENT (mA)
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min
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10
12
14
16
18
F
Freescale Semiconductor, Inc.
n
.
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PDF描述
MBC13900T1 NPN Silicon Low Noise Transistor
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MBC3026CF SILICON PLANAR PHTODIODES
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參數(shù)描述
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MBC13900T1 功能描述:IC TRANS NPN RF LOW NOISE SC70-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
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