參數(shù)資料
型號： MBC13900
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Silicon Low Noise Transistor
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-70, 4 PIN
文件頁數(shù)： 23/26頁
文件大小： 813K
代理商： MBC13900
Applications Information
MOTOROLA
MBC13900
Technical Data
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23
Figure 25. Constant Gain and Noise Figure Contours
(f = 900 MHz)
Figure 26. Constant Gain and Noise Figure Contours
(f = 1.9 GHz)
f (GHz)
NF Opt (dB)
Rn
K
0.9
0.76
11
0.36
Γ
O
0.37
∠
26.3°
V
CE
= 3.0 V
I
C
= 3.0 mA
---
Potentially Unstable
0.2
0.5
1.0
2.0
j1.0
j2.0
j0.5
j0.2
- j0.2
- j0.5
- j1.0
- j2.0
I
NPUT
OUTPUT
4.0
3.0
2.0
1.5
1.0 dB
21 dB
20
18
19
NF Opt = 0.76 dB
f (GHz)
NF Opt (dB)
Rn
K
1.9
0.91
8.5
0.76
Γ
O
0.34
∠
77.2°
V
CE
= 3.0 V
I
C
= 3.0 mA
---
Potentially Unstable
0.2
0.5
1.0
2.0
j1.0
j2.0
j0.5
j0.2
- j0.2
- j0.5
- j1.0
- j2.0
INPUT
3.0
4.0
1.0 dB
OUTPUT
18 dB
17
15
16
1.5
2.0
NF Opt = 0.91 dB
F
Freescale Semiconductor, Inc.
n
.
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PDF描述
MBC13900T1 NPN Silicon Low Noise Transistor
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參數(shù)描述
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MBC13900NT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISCRETE BJT PB FREE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBC13900T1 功能描述:IC TRANS NPN RF LOW NOISE SC70-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
MBC13901 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:NPN Silicon Low Noise Transistor
MBC13916 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:GAIN BLOCK 制造商:Freescale 功能描述:RF Amp Chip Single GP 2.5GHz 5V 4-Pin(3+Tab) SOT-343R
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