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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB84VA2102-10 |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | 16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48 |
| 封裝： | PLASTIC, FBGA-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/29頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 422K |
| 代理商： | MB84VA2102-10 |
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13
MB84VA2102
-10
/MB84VA2103
-10
Read Only Operations Characteristics (Flash)
Note:
Test Conditions–Output Load:1 TTL gate and 30 pF
Input rise and fall times: 5 ns
Input pulse levels: 0.0 V to 3.0 V
Timing measurement reference level
Input: 1.5 V
Output: 1.5 V
Parameter
Symbols
Description
Test
Setup
-10
(Note)
Unit
JEDEC
Standard
Min.
Max.
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
—
100
—
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CEf = V
IL
OE = V
IL
—
100
ns
t
ELQV
t
CE
f
Chip Enable to Output Delay
OE = V
IL
—
100
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
—
—
40
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High-Z
—
—
30
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High-Z
—
—
30
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses,
CEf or OE, Whichever Occurs First
—
0
—
ns
—
t
READY
RESET Pin Low to Read Mode
—
—
20
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB84VA2103 | 16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2103-10 | 16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VP24491HK-70PBS | RES NET BUSSED 150 OHM 6-SIP |
| MB84VP24491HK | 128M (X16) FLASH MEMORY 32M (X16) Mobile FCRAMTM |
| MB86029 | TV/VCR D/A Converter (3 ch, 8 bit) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB84VA2103 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2103-10 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2104 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (x 8) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2104-10 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (x 8) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2105 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (x 8) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
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