參數(shù)資料
型號(hào)： MAX3886ETN+T
廠商： Maxim Integrated Products
文件頁(yè)數(shù)： 12/17頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC MULTIRATE CDR SER/DES56-TQFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2,500
類型： 時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)（CDR），多路復(fù)用器
PLL： 是
主要目的： 光纖網(wǎng)絡(luò)終端（ONT）應(yīng)用，千兆位無(wú)源光纖網(wǎng)絡(luò)（GPON），寬帶無(wú)源光纖網(wǎng)絡(luò)（BPON）
輸入： CML，LVDS，LVPECL
輸出： CML，LVDS
電路數(shù)： 1
比率 - 輸入:輸出： 7:6
差分 - 輸入:輸出： 是/是
頻率 - 最大： 622MHz，2488Mbps
電源電壓： 3 V ~ 3.6 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 56-WFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 56-TQFN-EP（8x8）
包裝： 帶卷 (TR)
MAX3886
Multirate CDR with Integrated Serializer/Deserializer
for GPON and BPON ONT Applications
4
_______________________________________________________________________________________
Note 1: With a 19.4400MHz SMD AT-strip crystal at RFCK1 and RFCK2.
Note 2: Pattern is 16 x 27 - 1 PRBS, 100 CIDs, 16 x 27 - 1 PRBS inverted, 100 CIDs inverted.
Note 3: For 622Mbps operation, fC = 500kHz.
For 1.244Gbps operation, fC = 1MHz.
For 2.488Gbps operation, fC = 2MHz.
Note 4: Jitter transfer from SDI to SDO, with parallel side looped back. Defined as:
Note 5: Guaranteed by design and characterization.
Note 6: For 2.488Gbps operation, measurement bandwidth = 8kHz to 20MHz.
For 1.244Gbps operation, measurement bandwidth = 4kHz to 10MHz.
For 622Mbps operation, measurement bandwidth = 2kHz to 5MHz.
For 155Mbps operation, measurement bandwidth = 0.5kHz to 1.3MHz.
Jitter transfer
jitter on upstream signal UI
jitt
=
e
er on downstream signal UI
downstream bit rate
up
×
s
stream bit rate
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(VCC = +3.0V to +3.6V, TA = -40°C to +85°C. Typical values are at VCC = +3.3V, TA= +25°C, unless otherwise noted. LVDS outputs
terminated 100
Ω differential, CML inputs terminated 100Ω differential, CML outputs terminated 100Ω differential.) (Note 1)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
CML Differential Output
640
800
1000
mVP-P
CML Differential Output
Resistance
80
100
120
LVDS Input Voltage Range
0
2400
mV
LVDS Differential Input Range
(Note 5)
±100
±600
mV
LVDS Differential Input
Resistance
80
100
120
LVDS Output Voltage High
1475
mV
LVDS Output Voltage Low
925
mV
LVDS Output Differential Voltage
VOD
Figure 3
250
400
mV
LVDS Output Offset Voltage
VOS
VOS = (VOUT+ + VOUT-)/2, Figure 3
1125
1275
mV
LVDS Output Change in VOD
| VOD|
Between “0” and “1”
25
mV
LVDS Output Change in VOS
| VOS|
Between “0” and “1”
25
mV
LVDS Differential Output
Resistance
80
100
140
LVCMOS Input Voltage Low
VIL
0.8
V
LVCMOS Input Voltage High
VIH
2.0
V
LVCMOS Input Current
VIH = VCC or VIL = ground
-10
+10
μA
Three-State Input Current
MVCO input, VIH = VCC or VIL = ground
-50
+50
μA
LVCMOS Output Voltage Low
VOL
IOL = 100μA
0.2
V
LVCMOS Output Voltage High
VOH
IOH = -100μA
VCC -
0.2
V
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