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參數(shù)資料
| 型號： | MA3V176E |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | S-TYPE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | MA3V176E |
Switching Diodes
MA3V175E, MA3V176E
Silicon epitaxial planar type
1
For switching circuits
I
Features
Short reverse recovery time t
rr
Small terminal capacitance, C
t
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
= 25
°
C
1 : Anode
2 : Cathode
3 : Anode
New S-Type Package
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
(DC)
MA3V175E
V
R
40
V
MA3V176E
80
Peak reverse
voltage
MA3V175E
V
RM
40
V
MA3V176E
80
Forward current
(DC)
Single
I
F
100
mA
Double
150
Peak forward
current
Single
I
FM
225
mA
Double
340
Non-repetitive peak
forward surge current
*
Double
Single
I
FSM
500
mA
750
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Internal Connection
Note) * : t = 1 s
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
MA3V175E
I
R
V
R
= 35 V
V
R
= 75 V
I
F
= 100 mA
I
R
= 100
μ
A
0.1
μ
A
MA3V176E
0.1
Forward voltage (DC)
V
F
V
R
1.2
V
Reverse voltage (DC)
MA3V175E
40
V
MA3V176E
80
Terminal capacitance
C
t
V
R
= 0 V, f
= 1 MHz
4
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= 10 mA, V
R
= 6 V
I
rr
= 0.1 · I
R
, R
L
= 100
3
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
= 25
°
C
Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz
2. * : t
rr
measuring circuit
1
3
2
4.0
±
0.2
marking
2.54
±
0.15
1.27
1.27
3
±
0
1
±
0
2
±
0
0
±
0
0
+
0
0
1
2
3
Input Pulse
Output Pulse
t
rr
Sampling
Oscilloscope
R
i
=
50
DUT
R
s
=
50
V
=
V
R
+
I
R
·
R
S
I
F
t
r
t
P
t
I
rr
=
0.1
·
I
R
I
F
0
10%
90%
t
p
=
100
ns
t
r
=
0.6
ns
δ
=
0.05
I
F
=
10
mA
V
R
=
6
V
R
L
=
100
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