參數(shù)資料
型號: MA3X704E
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Silicon epitaxial planar type
中文描述: SILICON, L BAND, MIXER DIODE, TO-236
封裝: ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 47K
代理商: MA3X704E
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3X704D, MA3X704E
Silicon epitaxial planar type
For switching circuits
For wave detection circuit
I
Features
Two MA3X704As are contained in one package
Low forward rise voltage (V
F
) and satisfactory wave detection
efficiency (
η
)
Small tmperature coefficient of forward characteristic
Extremely low reverse current I
R
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
MA3X704D/E
V
R
I
FM
30
V
Peak forward
current
Single
150
mA
Double
*
110
Forward current
(DC)
Single
I
F
30
mA
Double
*
20
Junction temperature
T
j
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
JEDEC : TO-236
EIAJ : SC-59
Mini Type Package (3pin)
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
F1
V
F2
V
R
= 30 V
I
F
= 1 mA
I
F
= 30 mA
V
R
= 1 V, f
= 1 MHz
1
μ
A
Forward voltage (DC)
0.4
V
1.0
V
Terminal capacitance
C
t
1.5
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= I
R
= 10 mA
I
rr
= 1 mA, R
L
= 100
1.0
ns
Detection efficiency
η
V
in
= 3 V
(peak)
, f
= 30 MHz
R
L
= 3.9 k
, C
L
= 10 pF
65
%
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment
2. Rated input/output frequency: 2 000 MHz
3. * : t
rr
measuring instrument
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
10 mA
I
R
=
10 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr
=
1 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
2.8
+
0.2
0.3
+
0.25
1.5
0.65
±
0.15
0.65
±
0.15
3
1
2
0
0
1
±
0
0
+
0
0
1
0.1 to 0.3
+
0
0
0
0.4
±
0.2
0
0
+
0
0
1
2
+
0
0
Marking Symbol
MA3X704D :
M2P
MA3X704E :
M2R
Internal Connection
1
2
3
Note) * : Value per chip
1
3
2
D
E
MA3X704D
1 Cathode
2 Cathode
3 Anode
MA3X704E
Anode
Anode
Cathode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MA3X716 Silicon epitaxial planar type
MA3X717D Silicon epitaxial planar type
MA3X717E Silicon epitaxial planar type
MA3X717 Silicon epitaxial planar type
MA717 Schottky Barrier Diodes (SBD)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MA3X704E0L 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 30MA MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管,整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)(每個二極管):5A 電壓 - (Vr)(最大):600V 反向恢復(fù)時間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2
MA3X715 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type
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MA3X716 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type
MA3X71600L 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 30MA MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管,整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)(每個二極管):5A 電壓 - (Vr)(最大):600V 反向恢復(fù)時間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2