參數(shù)資料
型號(hào)： M393T6453FG3-CC
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： DDR2 Registered SDRAM MODULE 240pin Registered Module based on 256Mb F-die 72-bit ECC
中文描述： 注冊(cè)的DDR2 SDRAM內(nèi)存模塊240針腳注冊(cè)模塊，基于256Mb的F -死72位ECC
文件頁(yè)數(shù)： 13/18頁(yè)
文件大?。?/td> 387K
代理商： M393T6453FG3-CC
Rev. 1.3 Aug. 2005
256MB, 512MB Registered DIMMs
DDR2 SDRAM
Electrical Characteristics & AC Timing for DDR2-667/533/400 SDRAM
(0
°
C < T
CASE
< 95
°
C; V
DDQ
= 1.8V + 0.1V; V
DD
= 1.8V + 0.1V)
Refresh Parameters by Device Density
Speed Bins and CL, tRCD, tRP, tRC and tRAS for Corresponding Bin
Timing Parameters by Speed Grade
(Refer to notes for informations related to this table at the bottom)
Parameter
Symbol
256Mb
512Mb
1Gb
2Gb
4Gb
Units
Refresh to active/Refresh command time
tRFC
75
105
127.5
195
tbd
ns
Average periodic refresh interval
tREFI
0
°
C
≤
T
CASE
≤
85
°
C
7.8
7.8
7.8
7.8
7.8
μ
s
85
°
C
<
T
CASE
≤
95
°
C
3.9
3.9
3.9
3.9
3.9
μ
s
Speed
DDR2-667(E6)
DDR2-533(D5)
DDR2-400(CC)
Units
Bin (CL - tRCD - tRP)
5 - 5 - 5
4 - 4 - 4
3 - 3 - 3
Parameter
min
max
min
max
min
max
tCK, CL=3
5
8
5
8
5
8
ns
tCK, CL=4
3.75
8
3.75
8
5
8
ns
tCK, CL=5
3
8
-
-
-
-
ns
tRCD
15
15
15
ns
tRP
15
15
15
ns
tRC
54
55
55
ns
tRAS
39
70000
40
70000
40
70000
ns
Parameter
Symbol
DDR2-667
DDR2-533
DDR2-400
Units
Notes
min
max
min
max
min
max
DQ output access time from CK/CK
tAC
-450
+450
-500
+500
-600
+600
ps
DQS output access time from CK/CK
tDQSCK
-400
+400
-450
+450
-500
+500
ps
CK high-level width
tCH
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
tCK
CK low-level width
tCL
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
tCK
CK half period
tHP
min(tCL, tCH)
x
min(tCL, tCH)
x
min(tCL, tCH)
x
ps
Clock cycle time, CL=x
tCK
3000
8000
3750
8000
5000
8000
ps
DQ and DM input hold time
tDH
175
x
225
x
275
x
ps
DQ and DM input setup time
tDS
50
x
100
x
150
x
ps
Control & Address input pulse width for each
input
tIPW
0.6
x
0.6
x
0.6
x
tCK
DQ and DM input pulse width for each input
tDIPW
0.35
x
0.35
x
0.35
x
tCK
Data-out high-impedance time from CK/CK
tHZ
x
tAC max
x
tAC max
x
tAC max
ps
DQS low-impedance time from CK/CK
tLZ(DQS)
tAC min
tAC max
tAC min
tAC max
tAC min
tAC max
ps
DQ low-impedance time from CK/CK
tLZ(DQ)
2*tAC min
tAC max
2* tACmin
tAC max
2* tACmin
tAC max
ps
DQS-DQ skew for DQS and associated DQ
signals
tDQSQ
x
250
x
300
x
350
ps
DQ hold skew factor
tQHS
x
350
x
400
x
450
ps
DQ/DQS output hold time from DQS
tQH
tHP - tQHS
x
tHP - tQHS
x
tHP - tQHS
x
ps
Write command to first DQS latching transition
tDQSS
WL-0.25
WL+0.25
WL-0.25
WL+0.25
WL-0.25
WL+0.25
tCK
DQS input high pulse width
tDQSH
0.35
x
0.35
x
0.35
x
tCK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M39832-T12WNE1T TRANSZORB, 600W, VR: 25.6V UNIPOLAR, VBR: 28.5V - 31.5V
M39832-T15WNE1T Single Chip 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16 Flash and 256 Kbit Parallel EEPROM Memory
M39832-B12WNE1T TVS UNI-DIR 30V 600W DO-15
M39832-B15WNE1T TVS BI-DIR 30V 600W DO-15
M39832-T12WNE6T TVS UNI-DIR 33V 600W DO-15
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M393T6453FG3-CD5/CC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Registered SDRAM MODULE 240pin Registered Module based on 256Mb F-die 72-bit ECC
M393T6453FZ0-CC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Registered SDRAM MODULE 240pin Registered Module based on 256Mb F-die 72-bit ECC
M393T6453FZ0-CD5/CC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Registered SDRAM MODULE 240pin Registered Module based on 256Mb F-die 72-bit ECC
M393T6453FZ3-CC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Registered SDRAM MODULE 240pin Registered Module based on 256Mb F-die 72-bit ECC
M393T6453FZ3-CD5/CC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Registered SDRAM MODULE 240pin Registered Module based on 256Mb F-die 72-bit ECC
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*