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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M368L6523BTN-CB0 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
| 封裝： | DIMM-184 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 441K |
| 代理商： | M368L6523BTN-CB0 |
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DDR SDRAM
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMM
Rev. 1.0 August. 2003
(VDD=2.7V, T = 10°C)
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
B3(DDR333@CL=2.5) AA(DDR266@CL=2)
A2(DDR266@CL=2) B0(DDR266@CL=2.5)
Unit
Notes
IDD0
1,000
880
mA
IDD1
1,200
1,040
mA
IDD2P
4040
mA
IDD2F
240
mA
IDD2Q
200
160
mA
IDD3P
240
mA
IDD3N
400
mA
IDD4R
1,320
1,080
mA
IDD4W
1,520
1,200
mA
IDD5
2,000
1,920
mA
IDD6
Normal
40
mA
Low power
24
mA
Optional
IDD7A
3,200
2,640
mA
DDR SDRAM IDD spec table
M368L6523BTN [ (64M x 8) * 8, 512MB Non ECC Module ]
(VDD=2.7V, T = 10°C)
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
B3(DDR333@CL=2.5) AA(DDR266@CL=2)
A2(DDR266@CL=2) B0(DDR266@CL=2.5)
Unit
Notes
IDD0
1,130
990
mA
IDD1
1,350
1,170
mA
IDD2P
45
mA
IDD2F
270
mA
IDD2Q
230
180
mA
IDD3P
270
mA
IDD3N
450
mA
IDD4R
1,490
1,220
mA
IDD4W
1,710
1,350
mA
IDD5
2,250
2,160
mA
IDD6
Normal
45
mA
Low power
27
mA
Optional
IDD7A
3,600
2,970
mA
M381L6523BTM [ (64M x 8) * 9, 512MB ECC Module ]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M36LLR8860B1ZAQT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88 |
| M374S6553BTS-C7A | SDRAM Unbuffered Module 168pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die 62/72-bit Non ECC/ECC |
| M38002E2SP | 1 watt dc-dc converters |
| M38021E1-256FP | 1 watt dc-dc converters |
| M38021E1-256FS | 1 watt dc-dc converters |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M368L6523BTN-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M368L6523BTN-LB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M368L6523BUM-CCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M368L6523BUM-LCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M368L6523BUN-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
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