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參數(shù)資料
| 型號： | M368L1624DTM-LC4 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.65 ns, DMA184 |
| 封裝： | DIMM-184 |
| 文件頁數(shù)： | 19/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 354K |
| 代理商： | M368L1624DTM-LC4 |
DDR SDRAM
Rev. 1.2 May. 2003
128MB, 256MB, 512MB Unbuffered DIMM
256MB, 32M x 64 Non ECC Module (M368L3223DTM) (Populated as 1 bank of x8 DDR SDRAM Module)
Functional Block Diagram
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
WP
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
D0
DM0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
DQ12
DQ13
DQ14
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
D1
I/O 5
I/O 4
I/O 3
DM1
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
D2
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
DM2
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
D3
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
DM3
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
D4
DM4
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
D5
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
DM5
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
D6
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
D7
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
DM7
CS0
CS
DQS0
DQS
DQS4
DQS1
DQS5
DQS
DQS2
DQS
DQS3
DQS
DM6
DQS6
DQS7
DQ15
I/O 2
DQS
VSS
D0 - D7
VDD/VDDQ
D0 - D7
VREF
VDDSPD
SPD
Notes :
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended
but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be
maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.
4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 5.1 Ohms +
5%
Clock Wiring
CK0/CK0
Clock
Input
SDRAMs
CK1/CK1
2 SDRAMs
3 SDRAMs
CK2/CK2
A0 - A12
A0-A12 : DDR SDRAMs D0 - D7
RAS
RAS : DDR SDRAMs D0 - D7
CAS
CAS : DDR SDRAMs D0 - D7
WE
WE : DDR SDRAMs D0 - D7
CKE0
CKE : DDR SDRAMs D0 - D7
BA0 - BA1
BA0-BA1 : DDR SDRAMs D0 - D7
*Clock Net Wiring
Card
Edge
D3/D0/D6
Cap/Cap/Cap
D4/D1/D7
Cap/Cap/Cap
D5/D2/Cap
Cap/Cap/Cap
R=120
Cap will replace DRAM
*If two DRAMs are loaded,
CK0/1/2
*
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M368L2923BUM-LC4 | 128M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.65 ns, DMA184 |
| M368L2923DUN-CB3 | DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb D-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| M368L2923DUN-CCC | DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb D-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| M368L2923BUN-CB3 | Flash Memory IC; Memory Size:4Mbit; Supply Voltage Max:3V; Package/Case:48-FBGA; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Access Time, Tacc:90ns; Series:S29AL |
| M368L6523BTN-CB0 | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M368L1624DTM-LCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC |
| M368L1624DTM-LCC/C4 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC |
| M368L1624FTM | 制造商:SANKEN 制造商全稱:Sanken electric 功能描述:184pin Unbuffered Module based on 256Mb F-die with 64/72-bit Non-ECC / ECC |
| M368L1624FTM-CB3AA | 制造商:SANKEN 制造商全稱:Sanken electric 功能描述:184pin Unbuffered Module based on 256Mb F-die with 64/72-bit Non-ECC / ECC |
| M368L1713CTL | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128MB DDR SDRAM MODULE (16Mx64 based on 16Mx8 DDR SDRAM) Unbuffered 184pin DIMM 64-bit Non-ECC/Parity |
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