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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M312L6420EUS-CA2 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DIMM-184 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/30頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 712K |
| 代理商： | M312L6420EUS-CA2 |
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DDR SDRAM
256MB, 512MB, 1GB Registered DIMM
Rev. 1.0 July 2005
(VDD=2.7V, T = 10°C)
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
CC (DDR400@CL=3)
B3 (DDR333@CL=2.5)
Unit
Notes
IDD0
4,150
3,490
mA
IDD1
4,600
3,850
mA
IDD2P
770
610
mA
IDD2F
2,080
1,780
mA
IDD2Q
1,530
1,220
mA
IDD3P
2,610
1,760
mA
IDD3N
3,700
2,860
mA
IDD4R
5,230
4,390
mA
IDD4W
5,770
4,750
mA
IDD5
5,680
4,930
mA
IDD6
Normal
740
610
mA
Low power
680
560
mA
Optional
IDD7A
7,390
6,550
mA
(VDD=2.7V, T = 10°C)
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
CC (DDR400@CL=3)
B3 (DDR333@CL=2.5)
Unit
Notes
IDD0
2,250
2,370
mA
IDD1
3,000
2,730
mA
IDD2P
450
430
mA
IDD2F
1,290
1,200
mA
IDD2Q
830
740
mA
IDD3P
1,370
1,010
mA
IDD3N
2,100
1,740
mA
IDD4R
3,630
3,270
mA
IDD4W
4,170
3,630
mA
IDD5
4,080
3,810
mA
IDD6
Normal
430
mA
Low power
410
mA
Optional
IDD7A
5,790
5,430
mA
9.8 M312L2820EG(Z)0 [ (64M x 4) * 36, 1GB Module ]
9.7 M312L6420EG(Z)0 [ (64M x 4) * 18 , 512MB Module ]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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