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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M312L5720BZ0-CB3 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DIMM-184 |
| 文件頁數(shù)： | 18/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 623K |
| 代理商： | M312L5720BZ0-CB3 |
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DDR SDRAM
512MB, 1GB, 2GB Registered DIMM
Rev. 1.0 June 2005
Units : Inches (Millimeters)
Tolerances : ± 0.005(.13) unless otherwise specified
The used device is 64Mx8 DDR SDRAM, TSOPII
SDRAM Part No : K4H510838B
A
B
REG
PLL
A
B
5.25 ± 0.005
5.171
(131.350)
(133.350 ± 0.13)
(30.48
+
/-
0
.15)
1.2
+
/-0.06
5.077
(128.950)
0.
393
(10
.00)
(19.80)
0.78
(17.80)
0.7
0.10 M
CB
A
R (2.00)
0.0787
(3.00 Min)
0.118 Min
REG
0.157 Max
0.050 ± 0.0039
(1.270 ± 0.10)
(3.99 Max)
(4
.00)
(0
.157)
0.050
0.0078 ±0.006
(0.20 ±0.15)
(1.270)
0.100
±
0.
00
79
(2
.50
±
0.2
)
Detail B
0.250
(6.350)
Detail A
0.071
(1.80)
0.039 ± 0.002
(1.000 ± 0.050)
(3.80)
2.175
0.10 M C A
0.1496
(3.00 Min)
0.118 Min
R (2.00)
0.0787
(4.00 ± 0.1)
0.1575 ± 0.004
M B
0.100
(2.30)
2.500 +0.1/-0.0
17.1 64M x 72 (M312L6523BT(U)S)
17.0 Physical Dimensions
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M312L5720DZ3-CB3 | 256M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184 |
| M32002AMMJFREQ | VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, CMOS OUTPUT |
| M32016BGPJFREQ | VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, PECL OUTPUT |
| M32026AUMJFREQ | VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, CMOS OUTPUT |
| M32012BGPJFREQ | VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, PECL OUTPUT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M312L5720CZ3-CCC00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512 DDR SDRAM MODUL X72 BOC(LF) - Trays |
| M312L6420ETS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
| M312L6420HUS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Product Guide |
| M312L6420HUS-CB000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:256 DDR SDRAM MODUL X72 TSOP2-400(LF) - Trays |
| M312L6420JUS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Product Guide |
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