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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M312L3223ETS |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Registered Module |
| 中文描述： | DDR SDRAM的注冊(cè)模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 8/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 448K |
| 代理商： | M312L3223ETS |
DDR SDRAM
256MB, 512MB, 1GB Registered DIMM
Revision 1.4 February, 2004
1GB, 128M x 72 ECC Module [M383(12)L2828ET1(0)]
(Populated as 2 bank of x4 DDR SDRAM Module)
Functional Block Diagram
RA0 - RA12
RRAS
BA0-BAn: SDRAMs D0 - D35
RAS: SDRAMs D0 - D35
CKE: SDRAMs D0 - D17
RCKE0
RCKE1
RWE
CKE: SDRAMs D18 - D35
WE: SDRAMs D0 - D35
PCK
PCK
RAS
CAS
CKE0
CKE1
WE
RBA0 - RBAn
CS1
BA0-BAN
A0-A13
R
E
G
I
S
T
E
R
CS0
RCS0
RESET
PLL
CK0,CK0
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
WP
SDA
V
SS
D0 - D35
D0 - D35
V
DD
/V
DDQ
D0 - D35
D0 - D35
VREF
V
DDSPD
SPD
Notes:
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms.
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQS0
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DM0/DQS9
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DM2/DQS11
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DM3/DQS12
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DM4/DQS13
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DM5/DQS14
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DM7/DQS16
RS0
RS1
DQS4
DQS1
DQS5
DQS2
DQS3
DM6/DQS15
DQS6
DQS7
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D0
S
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D1
S
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D2
S
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D3
S
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D4
S
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D5
S
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D6
S
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D7
S
DM
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D9
S
DM
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D10
S
DM
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D11
S
DM
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D12
S
DM
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D13
S
DM
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D14
S
DM
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D15
S
DM
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D16
S
DM
DM1/DQS10
V
SS
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D18
S
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D19
S
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D20
S
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D21
S
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D22
S
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D23
S
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D24
S
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D25
S
DM
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D27
S
DM
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D28
S
DM
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D29
S
DM
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D30
S
DM
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D31
S
DM
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D32
S
DM
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D33
S
DM
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D34
S
DM
CB0
CB1
CB2
CB3
DQS8
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D8
S
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D26
S
DM
CB4
CB5
CB6
CB7
DM8/DQS17
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D17
S
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D35
S
DM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M312L6420ETS | DDR SDRAM Registered Module |
| M312L6423ETS | DDR SDRAM Registered Module |
| M383L2828ET1 | DDR SDRAM Registered Module |
| M383L3223ETS | DDR SDRAM Registered Module |
| M383L6420ETS | DDR SDRAM Registered Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M312L5128MT0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module ( TSOP-II ) 184pin Registered Module based on 1Gb M-die with 1,200mil Height & 72-bit ECC |
| M312L5128MT0-CA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module ( TSOP-II ) 184pin Registered Module based on 1Gb M-die with 1,200mil Height & 72-bit ECC |
| M312L5128MT0-CA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module ( TSOP-II ) 184pin Registered Module based on 1Gb M-die with 1,200mil Height & 72-bit ECC |
| M312L5128MT0-CB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module ( TSOP-II ) 184pin Registered Module based on 1Gb M-die with 1,200mil Height & 72-bit ECC |
| M312L5628BT0-A2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
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