參數(shù)資料
型號(hào)： M312L3223ETS
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： DDR SDRAM Registered Module
中文描述： DDR SDRAM的注冊(cè)模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/23頁(yè)
文件大?。?/td> 448K
代理商： M312L3223ETS
DDR SDRAM
256MB, 512MB, 1GB Registered DIMM
Revision 1.4 February, 2004
Revision History
Revision 1.0 (April, 2003)
- First release
Revision 1.1 (July, 2003)
- Delete speed B3
Revision 1.2 (August, 2003)
- Corrected typo.
Revision 1.3 (January, 2004)
- Corrected typo in functional block diagram of 1GB DIMM
Revision 1.4 (February, 2004)
- Corrected functional block diagram of 1GB DIMM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M312L6420ETS DDR SDRAM Registered Module
M312L6423ETS DDR SDRAM Registered Module
M383L2828ET1 DDR SDRAM Registered Module
M383L3223ETS DDR SDRAM Registered Module
M383L6420ETS DDR SDRAM Registered Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M312L5128MT0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module ( TSOP-II ) 184pin Registered Module based on 1Gb M-die with 1,200mil Height & 72-bit ECC
M312L5128MT0-CA0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module ( TSOP-II ) 184pin Registered Module based on 1Gb M-die with 1,200mil Height & 72-bit ECC
M312L5128MT0-CA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module ( TSOP-II ) 184pin Registered Module based on 1Gb M-die with 1,200mil Height & 72-bit ECC
M312L5128MT0-CB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module ( TSOP-II ) 184pin Registered Module based on 1Gb M-die with 1,200mil Height & 72-bit ECC
M312L5628BT0-A2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module
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