參數(shù)資料
型號(hào)： M312L3223ETS
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： DDR SDRAM Registered Module
中文描述： DDR SDRAM的注冊(cè)模塊
文件頁(yè)數(shù)： 15/23頁(yè)
文件大?。?/td> 448K
代理商： M312L3223ETS
DDR SDRAM
256MB, 512MB, 1GB Registered DIMM
Revision 1.4 February, 2004
Table 4 : Input/Output Setup & Hold Derating for Rise/Fall Delta Slew Rate
Table 5 : Output Slew Rate Characteristice (X4, X8 Devices only)
Table 6 : Output Slew Rate Characteristice (X16 Devices only)
Table 7 : Output Slew Rate Matching Ratio Characteristics
Delta Slew Rate
tDS
tDH
Units
Notes
+/- 0.0 V/ns
0
0
ps
j
+/- 0.25 V/ns
+50
+50
ps
j
+/- 0.5 V/ns
+100
+100
ps
j
Slew Rate Characteristic
Typical Range
(V/ns)
Minimum
(V/ns)
Maximum
(V/ns)
Notes
Pullup Slew Rate
1.2 ~ 2.5
1.0
4.5
a,c,d,f,g,h
Pulldown slew
1.2 ~ 2.5
1.0
4.5
b,c,d,f,g,h
Slew Rate Characteristic
Typical Range
(V/ns)
Minimum
(V/ns)
Maximum
(V/ns)
Notes
Pullup Slew Rate
1.2 ~ 2.5
0.7
5.0
a,c,d,f,g,h
Pulldown slew
1.2 ~ 2.5
0.7
5.0
b,c,d,f,g,h
AC CHARACTERISTICS
DDR266
DDR200
PARAMETER
MIN
MAX
MIN
MAX
Notes
Output Slew Rate Matching Ratio (Pullup to Pulldown)
TBD
TBD
0.67
1.5
e,m
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M312L6420ETS DDR SDRAM Registered Module
M312L6423ETS DDR SDRAM Registered Module
M383L2828ET1 DDR SDRAM Registered Module
M383L3223ETS DDR SDRAM Registered Module
M383L6420ETS DDR SDRAM Registered Module
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參數(shù)描述
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M312L5128MT0-CA0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module ( TSOP-II ) 184pin Registered Module based on 1Gb M-die with 1,200mil Height & 72-bit ECC
M312L5128MT0-CA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module ( TSOP-II ) 184pin Registered Module based on 1Gb M-die with 1,200mil Height & 72-bit ECC
M312L5128MT0-CB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module ( TSOP-II ) 184pin Registered Module based on 1Gb M-die with 1,200mil Height & 72-bit ECC
M312L5628BT0-A2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module
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