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參數(shù)資料
| 型號： | M25PE40VMW6G |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封裝： | 0.208 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 14/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 565K |
| 代理商： | M25PE40VMW6G |
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M25PE40
Instructions
21/62
6.1
Write Enable (WREN)
The Write Enable (WREN) instruction (Figure 7) sets the Write Enable Latch (WEL) bit.
The Write Enable Latch (WEL) bit must be set prior to every Page Write (PW), Page
Program (PP), Page Erase (PE), and Sector Erase (SE) instruction.
The Write Enable (WREN) instruction is entered by driving Chip Select (S) Low, sending the
instruction code, and then driving Chip Select (S) High.
Figure 7.
Write Enable (WREN) instruction sequence
C
D
AI02281E
S
Q
2
1
34567
High Impedance
0
Instruction
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M27C1024-10F1X | 1 Mbit 64Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
| M27C1024-10F3TR | 1 Mbit 64Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
| M27C1024-10F3X | 1 Mbit 64Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
| M27C1024-10F6TR | 1 Mbit 64Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
| M27C1024-10F6X | 1 Mbit 64Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25PE40-VMW6G | 功能描述:閃存 4 Mbit Lo Vltg Page Erasable Seral 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M25PE40-VMW6G_NUD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M25PE40VMW6P | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte alterability, 50 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE40-VMW6P | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:4 Mbit, page-erasable serial Flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE40VMW6TG | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte alterability, 50 MHz SPI bus, standard pinout |
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