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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M12L16161A-5T |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 18/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 566K |
| 代理商： | M12L16161A-5T |
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M12L16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
P.
18
Publication Date : J an. 2000
Revision : 1.3u
Read & Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
*Note: 1.
t
CDL
should be met to complete write.
CLOCK
CKE
C S
R A S
CAS
ADDR
WE
DQM
A10/AP
CL=2
CL=3
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
: D o n ' t C a r e
QAa1
QAa2
QAa3
DBb1
DBb2
DBb3
DBb0
QAa0
RAa
CAc
RAa
CAa
QAa1
QAa2
QAa3
DBb1
DBb2
DBb3
DBb0
QAa0
Write
(B-Bank)
HIGH
RBb
CBb
RAc
RBb
RAc
QAc0
QAc1
QAc2
QAc0
QAc1
Read
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
t
CDL
*Note1
1
9
2
1 0
3
4
5
6
7
8
1 1
1 2
1 3
1 4
1 7
1 5
1 8
1 6
1 9
0
BA
DQ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L16161A-6T | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7T | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-8T | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6T | PT 5C 5#16 SKT RECP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L16161A-5TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-5TG2Q | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks |
| M12L16161A-5TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-6T | 制造商:ESI 功能描述: |
| M12L16161A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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