參數(shù)資料
型號: LWE2010S
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN microwave power transistor
中文描述: S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù): 5/12頁
文件大小: 74K
代理商: LWE2010S
1997 Feb 19
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LWE2010S
Fig.4 Prematching test circuit board.
Substrate: Epsilam 10.
Thickness: 0.635 mm.
Permittivity:
ε
r
= 10.
handbook, full pagewidth
MBC717
30 mm
40 mm
30 mm
40 mm
1
5
2.5 (3x)
4.5
8.5
0.6
9
4
3
3
4.5
3
1
10
5
5
3
handbook, full pagewidth
MBC718
output
input
L1
C3
C4
L2
C1
C2
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PDF描述
LWE2015R NPN microwave power transistor
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