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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KP027J |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | 250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| 中文描述： | 25萬(wàn)千瓦GaAs功率場(chǎng)效應(yīng)管（無(wú)鉛型） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 560K |
| 代理商： | KP027J |
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Application Circuit : 2110-2170MHz
RF
L1 L2
Specifications and information are subject to change without notice. 2003-11
Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1,Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-8588 Japan
Phone: +81-45-853-7263 Fax: +81-45-853-1291 e-mail :
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
Web Site:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-7-
Technical Note
P0120007P
250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
SUMITOMO ELECTRIC
Ref. Des.
R1
R2
C1
C2
C3
C4
C5
C6
L1
L2
L3
L4
L5
Value
82
470
0.5pF
0.75pF
0.1μF
0.5pF
6pF
0.1μF
3.3nH
3.3nH
18nH
18nH
2.7nH
Part Number
SUSUMU
RR0816 series
MURATA
GRM18 series
TOKO LL1608
series
C6
R1
L1
C2
R2
L3
C3
C4
L4
C1
L5
C5
L2
in (Rs=50
)
D.U.T
Vg
Vd
RF out (RL=50
)
Z6
Z5
Z7
Z4
Z3
Z2
Z1
KP027J
RF in
RF out
Vg
(-0.7~-2V)
(+8V)
C1
R1
C3
L3
R2
C4C6
L4
C5
L5
Vd
C2
Ref.
Designator
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
All microstrip lines have a line impedance of 50
.
Electrical length
@ 2.1GHz (deg)
5.9
5.44
4.08
13.61
8.62
6.38
3.63
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
Frequency (GHz)
-30
-20
-10
0
10
20
S11
S12
S22
S21
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KP028J | 1W GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| KP029J | 2W GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| KP035J | 500mW InGaP HBT Amplifier |
| KP1020 | High Reliability Photo Coupler |
| KP1020E | High Reliability Photo Coupler |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KP028J | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:1W GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| KP029J | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:2W GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| KP02E | 制造商:CIT 制造商全稱:CIT Relay & Switch 功能描述:CIT SWITCH |
| KP02ET | 制造商:CIT 制造商全稱:CIT Relay & Switch 功能描述:CIT SWITCH |
| KP02R | 制造商:CIT 制造商全稱:CIT Relay & Switch 功能描述:CIT SWITCH |
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