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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KP024J |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | 1.5W GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| 中文描述： | 1.5W GaAs功率場(chǎng)效應(yīng)管（無(wú)鉛型） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 599K |
| 代理商： | KP024J |
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Application Circuit : 2110-2170MHz
RF in
Specifications and information are subject to change without notice. 2003-11
Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1,Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-8588 Japan
Phone: +81-45-853-7263 Fax: +81-45-853-1291 e-mail :
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
Web Site:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-7-
Technical Note
P0120004P
1.5W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
SUMITOMO ELECTRIC
Ref. Des.
Value
Part Number
SUSUMU
RR0816 series
R1
82
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
L1
L2
0.5pF
1pF
0.5pF
0.1μF
3pF
0.1μF
1pF
18nH
18nH
MURATA
GRM18 series
TOKO LL1608
series
C7
C2
C6
R1
C3
L1
C4
L2
C5
C1
RF in (Rs=50
)
Vg
Vd
RF out (RL=50
)
D.U.T
Z1
Z3
Z5
Z4
Z2
Z6
KP024J
RF out
Vg
(-0.7~-2V)
(+6V)
C2
L1
R1
C4
C6
L2
C5
C1
C7
Vd
C3
Ref.
Designator
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
All microstrip lines have a line impedance of 50
.
Electrical length
@ 2.1GHz (deg)
4.54
4.08
13.61
8.62
6.38
18.15
1.9
2
2.1
2.2
2.3
Frequency (GHz)
-40
-30
-20
-10
0
10
20
S11
S21
S22
S12
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KP027J | 250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| KP028J | 1W GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| KP029J | 2W GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| KP035J | 500mW InGaP HBT Amplifier |
| KP1020 | High Reliability Photo Coupler |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KP027J | 制造商:EUDYNA 制造商全稱(chēng):Eudyna Devices Inc 功能描述:250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| KP028J | 制造商:EUDYNA 制造商全稱(chēng):Eudyna Devices Inc 功能描述:1W GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| KP029J | 制造商:EUDYNA 制造商全稱(chēng):Eudyna Devices Inc 功能描述:2W GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| KP02E | 制造商:CIT 制造商全稱(chēng):CIT Relay & Switch 功能描述:CIT SWITCH |
| KP02ET | 制造商:CIT 制造商全稱(chēng):CIT Relay & Switch 功能描述:CIT SWITCH |
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