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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KP024J |
| 廠(chǎng)商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | 1.5W GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| 中文描述： | 1.5W GaAs功率場(chǎng)效應(yīng)管（無(wú)鉛型） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 599K |
| 代理商： | KP024J |
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Typical Characteristics
Technical Note
P0120004P
1.5W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
SUMITOMO ELECTRIC
Vgs=0V
-2.0V
6
-1.5V
-1.0V
-0.5V
D
Vds (V)
2000
1500
1000
500
00
2
4
T
6
5
4
3
2
1
00
50
100
Tc (
°C)
150
200
Transfer Curve
Power Derating Curve
8
Load-pull Characteristics (Typical Data)
Tc=25°C, Vds=6V
Ids=400mA,
Common Source, Zo=50
(Calibrated to device leads)
2.4GHz
0
45
9
-180
-
135
-135
-5
S12
S21
1.2GHz
1.2GHz
2.4GHz
2.4GHz
2.0
6.0
4.0
0
0.02
0.04
0.06
0
Scale for |S12|
S
0
1
-
5
5.0
2
20
3
-
4
0
0
0
0
0
1
-
1
10.0
-
-
-
30
4.0
-02
0
-04
0
-.
0
-
S11
S22
1.2GHz
1.2GHz
2.4GHz
Specifications and information are subject to change without notice. 2003-11
Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1,Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-8588 Japan
Phone: +81-45-853-7263 Fax: +81-45-853-1291 e-mail :
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
-2-
Web Site:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KP027J | 250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| KP028J | 1W GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| KP029J | 2W GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| KP035J | 500mW InGaP HBT Amplifier |
| KP1020 | High Reliability Photo Coupler |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KP027J | 制造商:EUDYNA 制造商全稱(chēng):Eudyna Devices Inc 功能描述:250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| KP028J | 制造商:EUDYNA 制造商全稱(chēng):Eudyna Devices Inc 功能描述:1W GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| KP029J | 制造商:EUDYNA 制造商全稱(chēng):Eudyna Devices Inc 功能描述:2W GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| KP02E | 制造商:CIT 制造商全稱(chēng):CIT Relay & Switch 功能描述:CIT SWITCH |
| KP02ET | 制造商:CIT 制造商全稱(chēng):CIT Relay & Switch 功能描述:CIT SWITCH |
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