參數(shù)資料
型號: KMM5368005BSW
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 8M x 36 DRAM SIMM(8M x 36 動態(tài) RAM模塊)
中文描述: 8米× 36的DRAM上海藥物研究所(8米× 36動態(tài)內存模塊)
文件頁數(shù): 19/19頁
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代理商: KMM5368005BSW
DRAM MODULE
KMM5368005BSW/BSWG
PACKAGE DIMENSIONS
.133(3.38)
4.250(107.95)
3.984(101.19)
R.062
±
.004(R1.57
±
.10)
.250(6.35)
3.750(95.25)
.250(6.35)
Units : Inches (millimeters)
0.125 MIN
(3.20MIN)
.150(3.81)
MAX
.054(1.37)
.047(1.19)
Tolerances :
±
.005(.13) unless otherwise specified
NOTE : The used device is 4Mx16 & Quad CAS 4Mx4 DRAM, TSOPII
DRAM Part No. : KMM5368005BSW/BSWG -- KM416C4104BS & KM44C4005CS(300 mil)
1.000(25.40)
.400(10.16)
.125 DIA
±
.002(3.18
±
.051)
R.062(1.57)
.250(6.35)
.080(2.03)
( Back view )
( Front view )
Gold/Solder Plating Lead
.010(.25)MAX
.050(1.27)
.041
±
.004(1.04
±
.10)
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PDF描述
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