參數(shù)資料
型號(hào)： KMM5368005BSW
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 8M x 36 DRAM SIMM(8M x 36 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
中文描述： 8米× 36的DRAM上海藥物研究所（8米× 36動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊）
文件頁(yè)數(shù)： 14/19頁(yè)
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代理商： KMM5368005BSW
DRAM MODULE
KMM5368005BSW/BSWG
Don
′
t care
RAS - ONLY REFRESH CYCLE*
NOTE : W, OE, D
IN
= Don
′
t care
Undefined
D
OUT
= OPEN
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
ROW
ADDR
t
RC
t
RP
t
ASR
t
CRP
t
RAS
t
RAH
t
RPC
t
CRP
OPEN
CAS - BEFORE - RAS REFRESH CYCLE
NOTE : OE , A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RC
t
RP
t
RAS
t
RPC
t
CP
t
RPC
t
CSR
t
CHR
t
CEZ
V
OH
-
V
OL
-
DQ
t
WRP
t
WRH
W
V
IH
-
V
IL
-
t
RP
* In RAS-only refresh cycle of 64Mb A-dile & B-die, when CAS signal transits from Low to High, the valid data may be cut off.
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PDF描述
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