| 型號: | KMM5328100CKG |
| 廠商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述: | IND 4922-31L API DELEVAN T/R 1 |
| 中文描述: | 8米× 32的DRAM上海藥物研究所利用4Mx4,4K/2K刷新,5V的 |
| 文件頁數(shù): | 3/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 271K |
| 代理商: | KMM5328100CKG |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5328000CKG | 8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5328004BSWG | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328004CSWG | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328004CSW | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5361203C2W | 1M x 36 DRAM SIMM(1M x 36 動態(tài) RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5361203C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh |
| KMM5361203C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh |
| KMM5361205C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM5361205C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM53616000BK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |