參數(shù)資料
型號(hào)： KMM5328100CKG
廠(chǎng)商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： IND 4922-31L API DELEVAN T/R 1
中文描述： 8米× 32的DRAM上海藥物研究所利用4Mx4，4K/2K刷新，5V的
文件頁(yè)數(shù)： 11/15頁(yè)
文件大?。?/td> 271K
代理商： KMM5328100CKG
DRAM MODULE
KMM5328100CK/CKG
KMM5328000CK/CKG
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HIDDEN REFRESH CYCLE ( READ )
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RP
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM5328000CKG 8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V
KMM5328004BSWG 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
KMM5328004CSWG 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
KMM5328004CSW 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
KMM5361203C2W 1M x 36 DRAM SIMM(1M x 36 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KMM5361203C2W 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh
KMM5361203C2WG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh
KMM5361205C2W 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
KMM5361205C2WG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
KMM53616000BK 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
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