參數(shù)資料
型號(hào)： KMM5328004CSW
廠(chǎng)商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
中文描述： 8米× 32的DRAM上海藥物研究所使用4Mx16，4K的刷新，5V的
文件頁(yè)數(shù)： 7/19頁(yè)
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代理商： KMM5328004CSW
DRAM MODULE
KMM5328004BSW/BSWG
t
WCS
NOTE : D
OUT
= OPEN
WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
RAS
V
IH
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V
IL
-
V
IH
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V
IL
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A
V
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W
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DH
DATA-IN
DQ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM5361203C2W 1M x 36 DRAM SIMM(1M x 36 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
KMM53616000BK 16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
KMM53616000CK 16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
KMM53616000BKG 16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
KMM53616000CKG 16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
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參數(shù)描述
KMM5328004CSWG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
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KMM5328100CKG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V
KMM5361203C2W 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh
KMM5361203C2WG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh
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