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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5328000CKG |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 8米× 32的DRAM上海藥物研究所利用4Mx4，4K/2K刷新，5V的 |
| 文件頁數(shù)： | 2/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 271K |
| 代理商： | KMM5328000CKG |
DRAM MODULE
KMM5328100CK/CKG
KMM5328000CK/CKG
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
Vcc
Vss
.1 or .22uF Capacitor
for each DRAM
To all DRAMs
A11(A10)
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
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A0-A11(A10)
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DQ4-DQ7
DQ8-DQ11
DQ12-DQ15
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DQ20-DQ23
DQ24-DQ27
DQ28-DQ31
RAS1
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RAS0
CAS1
CAS2
CAS3
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5328004BSWG | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328004CSWG | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328004CSW | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5361203C2W | 1M x 36 DRAM SIMM(1M x 36 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM53616000BK | 16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5328004BSW | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328004BSWG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328004CSW | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328004CSWG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328100CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
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