參數(shù)資料
型號(hào)： KMM5328000CKG
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V
中文描述： 8米× 32的DRAM上海藥物研究所利用4Mx4，4K/2K刷新，5V的
文件頁(yè)數(shù)： 12/15頁(yè)
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代理商： KMM5328000CKG
DRAM MODULE
KMM5328100CK/CKG
KMM5328000CK/CKG
RAS
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IH
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W
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V
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DQ
HIDDEN REFRESH CYCLE ( WRITE )
NOTE : D
OUT
= OPEN
COLUMN
ADDRESS
ROW
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RAS
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DS
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WCS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM5328004BSWG 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
KMM5328004CSWG 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
KMM5328004CSW 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
KMM5361203C2W 1M x 36 DRAM SIMM(1M x 36 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
KMM53616000BK 16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KMM5328004BSW 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
KMM5328004BSWG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
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KMM5328100CK 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V
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