參數(shù)資料
型號： KMM332V224BT-L
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 2M x 32 DRAM SODIMM(動態(tài) RAM模塊)
中文描述： 200萬× 32內(nèi)存的SODIMM（動態(tài)內(nèi)存模塊）
文件頁數(shù)： 2/15頁
文件大?。?/td> 232K
代理商： KMM332V224BT-L
DRAM MODULE
KMM332V204BT-L
KMM332V224BT-L
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
w A0-A11(A9)
U0
V
CC
Vss
.1uF or .22uF Capacitor
for each DRAM
DQ0-DQ7
DQ9-DQ16
To all DRAMs
W
A0-A11(A9)
RAS
LCAS
UCAS
OE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
w A0-A11(A9)
U1
DQ18-DQ25
DQ27-DQ34
RAS
LCAS
UCAS
OE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
U2
RAS
LCAS
UCAS
OE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
U3
RAS
LCAS
UCAS
OE
RAS1
CAS0
CAS1
RAS0
CAS0
CAS1
RAS3
CAS2
CAS3
CAS3
CAS2
RAS2
w A0-A11(A9)
w A0-A11(A9)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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KMM350VS221M20X50T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 220UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
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