參數(shù)資料
型號(hào)： KMM332V224BT-L
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 2M x 32 DRAM SODIMM(動(dòng)態(tài) RAM模塊)
中文描述： 200萬(wàn)× 32內(nèi)存的SODIMM（動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊）
文件頁(yè)數(shù)： 15/15頁(yè)
文件大?。?/td> 232K
代理商： KMM332V224BT-L
DRAM MODULE
KMM332V204BT-L
KMM332V224BT-L
PACKAGE DIMENSTIONS
Units : Inches (millimeters)
Gold Plating Lead
.010(.25)MAX
.050(1.27)
Gold : .039
±
.002(1.00
±
.050)
.100(2.54)
MIN
.150(3.81)
MAX
.040
±
.004
Tolerances :
±
.005(.13) unless otherwise specified
2.035(51.69)
2.350(59.68)
2-R.079(2.00)
0.198(5.03)
R.062(1.57)
.700
.125(3.175)
300(7.62)
.080(2.03)
1.750(44.45)
2-
¨a
.071(1.80)
Optional Hole
1
71
.071(1.80)
.100(2.54)MIN.
1.000(25.40)
2
72
1.750(44.45)
.325(8.255)
(Front View)
(Back View)
KMM332V20(2)4BT-L
.125(3.18)
MIN
NOTE: The used device is 1Mx16 DRAM, TSOP II
DRAM Part No : KMM332V204BT-L - KM416V1000BT-L (400mil) with Self Refresh
DRAM Part No : KMM332V224BT-L - KM416V1200BT-L (400mil) with Self Refresh
Revision History
Rev 0.1 : Feb. 1997
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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KMM364C224BJ 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
KMM366F224BJ1 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
KMM366F410CK1 4M x 64 DRAM DIMM(4M x 64 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
KMM366F400CK1 4M x 64 DRAM DIMM(4M x 64 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
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參數(shù)描述
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KMM35 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES
KMM350VN561M30X50T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 560UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長(zhǎng)度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
KMM350VN681M30X60T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 680uF 350V 30X60 RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長(zhǎng)度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
KMM350VS221M20X50T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 220UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長(zhǎng)度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
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