| 型號: | KMM332V204BT-L |
| 廠商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述: | 2M x 32 DRAM SODIMM(2M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述: | 200萬× 32內(nèi)存的SODIMM(2米× 32動態(tài)內(nèi)存模塊) |
| 文件頁數(shù): | 8/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 232K |
| 代理商: | KMM332V204BT-L |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM332V224BT-L | 2M x 32 DRAM SODIMM(動態(tài) RAM模塊) |
| KMM350S823BT1 | 8M x 72 SDRAM DIMM(8M x 72同步動態(tài)RAM模塊) |
| KMM364C224BJ | 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM366F224BJ1 | 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM366F410CK1 | 4M x 64 DRAM DIMM(4M x 64 動態(tài) RAM模塊) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM34 | 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
| KMM35 | 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
| KMM350VN561M30X50T2 | 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 560UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors |
| KMM350VN681M30X60T2 | 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 680uF 350V 30X60 RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors |
| KMM350VS221M20X50T2 | 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 220UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors |