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參數(shù)資料
| 型號： | KMM332V204BT-L |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 32 DRAM SODIMM(2M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 200萬× 32內(nèi)存的SODIMM（2米× 32動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 4/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 232K |
| 代理商： | KMM332V204BT-L |
DRAM MODULE
KMM332V204BT-L
KMM332V224BT-L
CAPACITANCE
(T
A
= 25
°
C, Vcc=3.3V, f = 1MHz)
Item
Symbol
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
CDQ
Min
Max
40
45
20
30
30
Unit
pF
pF
pF
pF
pF
Input capacitance[A0-A11(A9)]
Input capacitance[W]
Input capacitance[RAS0 - RAS3]
Input capacitance[CAS0 - CAS3]
Input/Output capacitance[DQ0-7,9-16,18-25,27-34]
-
-
-
-
-
Test condition : Vih/Vil=2.2V/0.7V, Voh/Vil=2.0V/0.8V, Output loading CL=100uF)
Parameter
Symbol
-5
-6
Unit
Note
Min
90
Max
Min
110
Max
Random read or write cycle time
Access time from RAS
Access time from CAS
Access time from column address
CAS to output in Low-Z
Output buffer turn-off delay
Transition time(rise and fall)
RAS precharge time
RAS pulse width
RAS hold time
CAS hold time
CAS pulse width
RAS to CAS delay time
RAS to column address delay time
CAS to RAS precharge time
Row address set-up time
Row address hold time
Column address set-up time
Column address hold time
Column address to RAS lead time
Read command set-up time
Read command hold reference to CAS
Read command hold reference to RAS
Write command hold time
Write command pulse width
Write command to RAS lead time
Write command to CAS lead time
Data in set-up time
Data in hold time
Refresh period
Write command set-up time
CAS setup time(CAS-before-RAS refresh)
CAS hold time(CAS-before-RAS refresh)
RAS to CAS precharge time
Access time from CAS precharge
t
RC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
OFF
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RAD
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RAL
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
REF
t
WCS
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
CPA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
ns
50
15
25
60
15
30
3,4
3,4,5
3,10
3
6
2
0
0
3
0
0
3
13
50
15
50
30
50
13
50
13
20
15
5
0
10
0
10
25
0
0
0
10
10
13
13
0
10
40
60
15
60
15
20
15
5
0
10
0
10
30
0
0
0
10
10
15
15
0
10
10K
10K
10K
37
25
10K
45
30
4
10
8
8
9
9
128
128
0
5
0
5
7
10
5
10
5
30
35
3
AC CHARACTERISTICS
(0
°
C
≤
T
A
≤
70
°
C, V
CC
=3.3V
±
0.3V, See notes 1,2.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| KMM332V224BT-L | 2M x 32 DRAM SODIMM(動態(tài) RAM模塊) |
| KMM350S823BT1 | 8M x 72 SDRAM DIMM(8M x 72同步動態(tài)RAM模塊) |
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| KMM366F224BJ1 | 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM366F410CK1 | 4M x 64 DRAM DIMM(4M x 64 動態(tài) RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KMM34 | 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
| KMM35 | 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
| KMM350VN561M30X50T2 | 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 560UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors |
| KMM350VN681M30X60T2 | 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 680uF 350V 30X60 RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors |
| KMM350VS221M20X50T2 | 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 220UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors |
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