參數(shù)資料
型號(hào)： KMB6D0DN30QA
廠商： KEC Holdings
英文描述： Dual N-Ch Trench MOSFET
中文描述： 雙N溝道MOSFET通道
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 477K
代理商： KMB6D0DN30QA
2007. 4. 3
4/5
KMB6D0DN30QA
Revision No : 0
Square Wave Pulse Duration (sec)
10
1
10
2
10
3
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
-4
Fig7. Transient Thermal Response Curve
10
-1
10
-2
10
-3
1
N
T
D
D
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
Fig8. Safe Operation Area
10
1
10
1
10
2
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
10
0
10
2
V
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135
C/W
T
A
= 25
C
Operation in this
area is limited by R
DS(ON)
1ms
10ms
10s
100ms
1s
DC
R
θ
JA
(t) = r(t)
R
θ
JA
R
θ
JA
= 135
C/W
T
-T
=P R
(t)
Duty Cycle D = t
1
/t
2
t
1
t
2
P
DM
Single Pluse
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
0.05
100
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMB7D0DN40QA Dual N-Ch Trench MOSFET
KMB7D0NP30QA N and P-Ch Trench MOSFET
KMB7D1DP30QA Dual P-Ch Trench MOSFET
KMB8D2N60QA N-Ch Trench MOSFET
KMM332V204BT-L 2M x 32 DRAM SODIMM(2M x 32 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KMB6D0DN30QA_08 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:Dual N-Ch Trench MOSFET
KMB6D0DN35QA 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:Dual N-Ch Trench MOSFET
KMB6D0DN35QB 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:Dual N-Ch Trench MOSFET
KMB6D0NP40QA 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N and P-Ch Trench MOSFET
KMB6D6N30 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE
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