- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374362 > KMB6D0DN30QA (KEC Holdings) Dual N-Ch Trench MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KMB6D0DN30QA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | Dual N-Ch Trench MOSFET |
| 中文描述： | 雙N溝道MOSFET通道 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 477K |
| 代理商： | KMB6D0DN30QA |
2007. 4. 3
3/5
KMB6D0DN30QA
Revision No : 0
Gate - Source Voltage V
GS
(V)
Source - Drain Forward Voltage V
SDF
(V)
0
0
2
8
16
4
12
20
4
6
8
10
0
0.16
0.12
0.14
0.06
0.08
0.02
0.04
0.1
10
15
0
5
20
D
D
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
D
D
R
D
Drain Current I
D
(A)
D
S
D
)
N
S
D
)
-80
-40
40
80
160
120
0
0
20
50
40
10
30
0
160
120
80
-40
40
-80
1
2
5
10
0
20
15
0
1
4
2
5
3
3
4
5
0.8
1.2
0
0.4
1.6
2.0
Junction Temperature Tj ( )
0
2
10
8
4
6
V
GS
=4.0
V
GS
=4.5
V
GS
=4.5
V
GS
=10.0
V
GS
=10
V
GS
=3.5
V
GS
=3.0
V
GS
=5
Common Source
Tc= 25
Pulse Test
C
Common Source
Tc= 25
Pulse Test
C
Common Source
Tc= 25
C
Common Source
V
=5V
Pulse Test
Common Source
V
GS
=V
DS
I
=250
μ
A
Pulse Test
Common Source
V
=10V
Pulse Test
25 C
-55 C
125 C
Junction Temperature Tj ( )
G
t
Fig1. I
D
- V
DS
Fig2. R
DS(on)
- I
D
Fig3. I
D
- V
GS
Fig4. R
DS(on)
- T
j
Fig5. V
th
- T
j
Fig6. I
DR
- V
SDF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB7D0DN40QA | Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D0NP30QA | N and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D1DP30QA | Dual P-Ch Trench MOSFET |
| KMB8D2N60QA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMM332V204BT-L | 2M x 32 DRAM SODIMM(2M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB6D0DN30QA_08 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB6D0DN35QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB6D0DN35QB | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB6D0NP40QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB6D6N30 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。