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參數(shù)資料
| 型號： | KMB3D5PS30QA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | SBD and P-Ch Trench MOSFET |
| 中文描述： | SBD智能交通和P -溝道MOSFET總 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 479K |
| 代理商： | KMB3D5PS30QA |
2007. 8. 13
4/5
KMB3D5PS30QA
Revision No : 2
Square Wave Pulse Duration (sec)
10
1
10
2
10
3
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
2.0
0.4
0
0
1.2
0.8
1.6
10
8
6
4
2
Fig9. Transient Thermal Response Curve
t
1
t
2
P
DM
Fig7. Forward Voltage Drop
F
F
Forward Voltage Drop V
F
(V)
C
Tj=25
C
Tj=-50
0.02
0.1
0.2
Duty Cycle = 0.5
0.05
D
D
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
Fig8. Safe Operation Area
10
1
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
10
0
10
2
V
= 10V
SINGLE PULSE
1ms
10ms
1s
DC
100ms
Single Pluse
Duty Cycle D = t
1
/t
2
10
-2
10
-1
10
0
N
T
Operation in this
area is limited by R
DS(ON)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB4D0N30SA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMB6D0DN30QA | Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D0DN40QA | Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D0NP30QA | N and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D1DP30QA | Dual P-Ch Trench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB3D9N40TA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N-Ch Trench MOSFET |
| KMB4D0N30SA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SOT-23 PACKAGE |
| KMB4D0N30SA_08 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SOT-23 PACKAGE |
| KMB4D5DN60QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB4D8DN55Q | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
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