- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374362 > KMB3D5PS30QA (KEC Holdings) SBD and P-Ch Trench MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KMB3D5PS30QA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | SBD and P-Ch Trench MOSFET |
| 中文描述： | SBD智能交通和P -溝道MOSFET總 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 479K |
| 代理商： | KMB3D5PS30QA |
2007. 8. 13
3/5
KMB3D5PS30QA
Revision No : 2
0
0
2
4
8
12
16
20
4
6
8
10
10.0V
5.0V4.5V
3.5V
V
GS
=3.0V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
4.0V
C
Drain - Current I
D
(A)
0
0
3
0.08
0.16
0.24
0.32
0.4
6
9
12
Gate-Source Volatage VGS (V)
0
1
4
8
12
16
20
2
3
4
5
25
C
D
S
D
)
0
80
200
160
40
120
0
160
120
80
-40
40
-80
Common Source
V
=10V
Pulse Test
Common Source
V
=10V
Pulse Test
Common Source
Tc=25
Pulse Test
C
Common Source
Tc=25
Pulse Test
Junction Temperature Tj ( )
I
D
=2.5A
-80
-40
40
80
160
120
0
0
1
4
2
5
3
Junction Temperature Tj ( )
Common Source
V
GS
=V
DS
I
=250
μ
A
Pulse Test
G
t
Source - Drain Forward Voltage V
SDF
(V)
0.8
1.2
0
0.4
1.6
2.0
0
2
10
8
4
6
Common Source
Tc= 25
C
Fig1. I
D
- V
GS
D
D
Drain - Source Voltage V
GS
(V)
D
D
D
S
D
)
125
C
Tc=-55
C
Fig2. R
DS(on)
- I
D
Fig3. I
D
- V
GS
Fig4. R
DS(on)
- T
j
Fig5. V
th
- T
j
Fig6. I
DR
- V
SDF
R
D
(
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB4D0N30SA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMB6D0DN30QA | Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D0DN40QA | Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D0NP30QA | N and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D1DP30QA | Dual P-Ch Trench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB3D9N40TA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N-Ch Trench MOSFET |
| KMB4D0N30SA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SOT-23 PACKAGE |
| KMB4D0N30SA_08 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SOT-23 PACKAGE |
| KMB4D5DN60QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB4D8DN55Q | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。