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參數(shù)資料
| 型號： | KMB3D0P30SA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | P-Ch Trench MOSFET |
| 中文描述： | 的P -溝道MOSFET總 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 482K |
| 代理商： | KMB3D0P30SA |
2007. 6. 28
4/5
KMB3D0P30SA
Revision No : 1
10
-3
10
-1
10
0
10
1
10
2
500
10
-2
D
D
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
Fig7. Safe Operation Area
Fig8. Transient Thermal Response Curve
0.1
0.05
0.02
D = 0.5
0.2
SINGLE
DC
10s
1s
Operation in this
area is limited by R
DS(ON)
100 ms
10 ms
1 ms
V
= 10V
SINGLE PULSE
- Duty = t/T
t
1
t
2
P
DM
Square Wave Pulse Duration (sec)
10
-2
10
-1
10
0
10
-2
10
-1
10
-1
10
0
10
1
30
10
0
10
1
N
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB3D5PS30QA | SBD and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB4D0N30SA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMB6D0DN30QA | Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D0DN40QA | Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D0NP30QA | N and P-Ch Trench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB3D5N40SA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D5PS30QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SBD and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D9N40TA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N-Ch Trench MOSFET |
| KMB4D0N30SA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SOT-23 PACKAGE |
| KMB4D0N30SA_08 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SOT-23 PACKAGE |
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