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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMB3D0P30SA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | P-Ch Trench MOSFET |
| 中文描述： | 的P -溝道MOSFET總 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 482K |
| 代理商： | KMB3D0P30SA |
2007. 6. 28
3/5
KMB3D0P30SA
Revision No : 1
10.0V
0
0
2
2
4
6
8
10
12
4
6
8
10
3.5V
V
GS
=3.0V
Drain - Current I
D
(A)
0
0
4
100
200
8
12
16
Gate-Source Volatage V
GS
(V)
0
0
1
4
8
12
2
3
4
5
N
S
D
)
0
60
120
100
20
40
80
-25
150
50
75
100
125
25
-50
0
-75
Common Source
V
=10V, I
D
=3A
Pulse Test
Common Source
V
=5V
Pulse Test
C
Common Source
Tc=25
Pulse Test
Junction Temperature Tj ( )
-75
-50
-25
0
50
100
75
125
150
25
0
1
4
2
5
3
Junction Temperature T
j
( )
Common Source
V
GS
=V
DS
I
=250
μ
A
Pulse Test
G
t
Source - Drain Forward Voltage V
SDF
(V)
0.8
1.2
0
0.4
1.6
2.0
0
2
10
8
4
6
Common Source
Tc= 25
C
D
D
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
D
D
D
S
D
)
Fig2. R
DS
-I
D
Fig4. R
DS(on)
- T
j
Fig5. V
th
- T
j
Fig6. I
DR
- V
SDF
-55
C
25
C
125
C
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
4.5V
4.0V
5.0V
Fig1. I
D
- V
DS
Fig3. I
D
- V
GS
R
D
(
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB3D5PS30QA | SBD and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB4D0N30SA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMB6D0DN30QA | Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D0DN40QA | Dual N-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D0NP30QA | N and P-Ch Trench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB3D5N40SA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D5PS30QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SBD and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D9N40TA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N-Ch Trench MOSFET |
| KMB4D0N30SA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SOT-23 PACKAGE |
| KMB4D0N30SA_08 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SOT-23 PACKAGE |
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